SiC衬底价格三大问题引发市场关注

行业消息显示，今年以来，主流6英寸SiC衬底价格持续下滑，其价格已下跌近30%。目前国内市场多位行业人士表露，2024年中期6英寸SiC衬底的价格已跌至500美元以下，渐接近中国制造商的生产成本线。到今年第四季度，价格进一步下降至450美元甚至400美元，这给大多数制造商带来财务压力。

SiC产业链主要包括衬底、外延、器件、应用等环节，衬底和外延工艺占据了整个成本结构的70%，其中衬底的成本比重更是接近50%。

关于碳化硅市场价格的变动，目前行业内主要存在以下三点担忧：

· 一是2024年全球SiC晶体生长及衬底材料新增产能大幅提升，部分业内人士担心未来短期内将造成供过于求现象；

· 二是作为SiC材料最大目标应用的电动汽车增长近两年出现放缓迹象，未来电动汽车发展可持续性遭到质疑，以及是否有更新的市场增长点推动第三代半导体持续突破；

· 第三则是今年以来碳化硅市场爆发的价格战对SiC市场定价造成冲击，企业过渡和成长问题成为当下重要考量。

目前行业多方对于上述三点忧虑进行了探讨，本文将结合行业各方看法对此进行解答。

SiC行业或将迎新一波整合兼并潮

在产能释放上，据全球半导体观察不完全统计，2024年全球市场共新建14座8英寸碳化硅厂房（在建12座，2座即将动工），短期内仅有Wolfspeed莫霍克谷工厂能够提供8英寸碳化硅晶圆，最早则从明年开始陆续有厂家可以供应上8英寸碳化硅晶圆。而聚焦我国，2023年国内启动了超50个SiC相关扩产项目，总投资超900亿元；2024年，我国更有超100家企业在碳化硅领域进行布局，超50个碳化硅项目迎来最新进展。

关于产能投产可持续看，部分行业人士表示，碳化硅行业投资巨大，部分供应商虽然扩产积极，但在较低价格的环境下，能否继续维持运转成为关键问题。因为是否会造成供过于求还有待观察。并且在此环境下，SiC衬底行业预计会迎来一波整合兼并潮。届时碳化硅产业版图还将进一步刷新。

AI数据中心或将成为第三代半导体新的市场增量

虽然目前市场上看到，新能源汽车近期有疲软趋势，但多家碳化硅大厂以及车企最新释放，碳化硅新能源车型持续增加，8英寸碳化硅或迎来新机遇。截止目前，我国新能源上险乘用车中800V车型渗透率约8.7%，其中800V碳化硅渗透率提升至72%，24年陆续新增极氪系列、小米、红旗、奇瑞星纪元、海马等多款车型。

而关于第三代半导体新的市场增量讨论上，AI人工智能浪潮席卷全球，数据中心对算力需求的持续高涨成为了第三代半导体破局的关键。安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示，在接下来的3-5年，单个数据中心的容量将会从传统的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,这意味着电源单元必须具备更高的功率能力，预计将从传统的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能够在数据中心中发挥非常重要的作用，能够帮助数据中心电源实现更高的功率密度。

深圳基本半导体有限公司总经理也表示，大型计算基础设施运行所需的电能日益增加，需要更高功率、更高能效的电力电子设备去支撑。给AI处理器供电最高效的选择就是氮化镓和碳化硅等第三代半导体。具体到碳化硅的应用而言，碳化硅具有极小的反向恢复损耗，可以有效降低能耗，主要应用在AI服务器电源的PFC（功率因数校正）中。现在多数企业都在采用碳化硅二极管替代硅二极管，碳化硅MOSFET替代硅MOSFET。

价格战持续，推动SiC大规模商业化应用转折点到来

在价格竞争上，部分人士表示，尽管价格战可能会对一些厂商的利润率造成压力，但长期来看，这可能会推动整个行业向更高效、更具成本效益的方向发展，并有助于SiC技术在电动汽车、光伏、工业等领域的进一步渗透和应用。

从我国市场看，价格的迅速下滑与我国越来越多的本地生产商获得电动汽车认证并扩大了其制造能力直接关系。行业人士表示，随着8英寸SiC产能的逐步释放，预计SiC单器件或单位电流密度的成本将进一步降低，这可能成为SiC大规模商业化应用的转折点。

天岳先进相关发言人近期表示，随着技术进步和规模效应，SiC基板（衬底）价格将继续下降，从而降低成本。SiC基板相对于硅基板的价格较高，阻碍了其更广泛的应用，价格下降将有助于扩大下游应用，推动SiC的广泛应用。

从国内市场来看，目前山东天岳、天科合达、三安等一些中国一线供应商已经进入了国际IDM厂商的功率器件供应链，其中山东天岳在连续两年亏损后于2024年上半年实现盈利，天科合达盈利能力也在不断提高。总体而言，IDM的认证使得山东天岳和天科合达在2024年整体SiC衬底市场竞争激烈的情况下，仍能保持稳定的出货量、价格和利润。在该产业发展过程中，我国厂商有望在全球SiC产业的竞争格局中占据较强优势，逐步将市场重心转向中国。